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Eine Zinkoxid (ZnO) Schicht, die unter Verwendung einer Atomschichtabscheidung (ALD) über einem Phasenwechselmaterial abgeschieden ist, bildet eine selbstwählende Speichereinrichtung. Die Diode, die an der ZnO-GST-Schnittstelle gebildet ist, zeigt sowohl Gleichrichter- als auch Speicherfähigkeiten innerhalb der PCM-Architektur. |
