Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung von Stressmigrations-Eigenschaften

摘要

Vorrichtung zur Erfassung von Spannungsmigrations-Eigenschaften eines Halbleiter-Bausteins (IC) auf Grund von mechanischen Spannungen mit einer Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT), die im Halbleiter-Baustein (IC) zum Erfassen der Spannungsmigrations-Eigenschaften ausgebildet ist, wobei der Halbleiter-Baustein (IC) auf einem Bausteinträger (T) in einem produktrelevanten Gehäuse (G) endmontiert ist, gekennzeichnet durch eine integrierte Heizvorrichtung (IH), die innerhalb oder in unmittelbarer Nähe der Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT) im Halbleiter-Baustein (IC) zum lokalen Erwärmen der Spannungsmigrations-Teststruktur (SMT) ausgebildet ist.