发明名称 Plasmonverbesserte, lichtemittierende Dioden
摘要 Eine lichtemittierende Diode, die folgende Merkmale aufweist: zumindest eine Quantenmulde, die sandwichartig zwischen einer ersten Halbleiterschicht und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist; eine erste Heterostruktur, die auf einer Oberfläche der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist; eine zweite Heterostruktur, die auf einer Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, wobei die zweite Heterostruktur gegenüberliegend zu der ersten Heterostruktur angeordnet ist; und eine Metallstruktur, die auf einer Oberfläche der lichtemittierenden Diode angeordnet ist, wobei Elektronen-Plasma-Oszillationen von Oberflächen-Plasmon-Polaritonen, die entlang der Schnittstelle zwischen der Metallstruktur und der Oberfläche der lichtemittierenden Diode gebildet sind, sich in die zumindest eine Quantenmulde erstrecken, was die Spontanemissionsrate der Komponente des transversen, magnetischen Feldes von elektromagnetischer Strahlung erhöht, die aus der zumindest einen Quantenmulde emittiert wird, über den Purcell-Effekt.
申请公布号 DE112008003654(T5) 申请公布日期 2011.07.07
申请号 DE20081103654T 申请日期 2008.01.30
申请人 HEWLETT-PACKARD CO. 发明人 FATTAL, DAVID A.;TY TAN, MICHAEL RENNE
分类号 H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/46 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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