Vordotiertes Halbleitermaterial für eine Metallgateelektrodenstruktur mit großemεvon p-und n-Kanaltransistoren

摘要

In einer Prozessstrategie zur Herstellung von Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase wird ein vordefiniertes Halbleitermaterial verwendet, um die Schottky-Barriere zwischen dem Halbleitermaterial und dem leitenden Deckmaterial der Gateelektrodenstrukturen zu verringern. Auf Grund der im Wesentlichen gleichmäßigen Materialeigenschaften des vordotierten Halbleitermaterials können durch die Strukturierung hervorgerufene Ungleichmäßigkeiten während des komplexen Strukturierungsprozesses der Gateelektrodenstrukturen reduziert werden. Das vordotierte Halbleitermaterial kann für Gateelektrodenstrukturen komplementärer Transistoren verwendet werden.