Halbleiterbauelement mit verbesserter dynamischer Belastbarkeit

摘要

Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper (100) mit einem pn-Übergang (PN1) aufweist, mit einer ersten Seite (S1) und einer gegenüberliegend angeordneten zweiten Seite (S2), einem ersten Kontakt (K1) auf der ersten Seite und einem zweiten Kontakt (K2) auf der zweiten Seite, wobei das Halbleiterbauelement als Diode ausgebildet ist und folgende Merkmalen aufweist: einen Randabschluss (RA), der an einem ersten Bereich (B1) der ersten Seite (S1) angeordnet ist, der sich von einem Rand (RS) der ersten Seite (S1) mindestens bis zu einem pn-Übergang (PN1) erstreckt, und wobei ein zweiter Bereich (B2) einen restlichen Bereich der ersten Seite (S1) umfasst; einen ersten Halbleiterbereich (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der auf dem zweiten Kontakt (K2) angeordnet und mit demselben elektrisch verbunden ist; einen zweiten Halbleiterbereich (120) des ersten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich (110) angeordnet ist und einen Feldstopp bildet; eine Mehrzahl von Halbleiterinseln (125), die als Halbleiterbereiche eines zu dem...