发明名称 |
Polierte Halbleiterscheibe und Verfahren zu deren Herstellung und Anordnung bestehend aus einer Halbleiterscheibe und einem Schild |
摘要 |
Polierte Halbleiterscheibe mit einer Vordersaite und einer Rückseite und einem Rand R, der mit dem Abstand eines Radius von einem Zentrum der Halbleiterscheibe entfernt liegt und einen Umfang der Halbleiterscheibe bildet und Teil einer mit einem Profil versehenen Kante der Halbleiterscheibe ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine maximale Abweichung der Ebenheit der Rückseite von einer idealen Ebene in einem Gebiet zwischen R-6 mm und R-1 mm der Rückseite 0,7 μm oder weniger beträgt.
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申请公布号 |
DE10302611(B4) |
申请公布日期 |
2011.07.07 |
申请号 |
DE20031002611 |
申请日期 |
2003.01.23 |
申请人 |
SILTRONIC AG |
发明人 |
SCHWAB, GUENTER, DIPL.-ING.;STADLER, MAXIMILIAN, DR. DIPL.-CHEM.;TEUSCHLER, THOMAS, DR. DIPL.-PHYS. |
分类号 |
H01L21/302;H01L21/00;H01L21/304;H01L21/306;H01L23/58 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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