发明名称 |
Halbleiterbauelement mit Überstromschutz |
摘要 |
Es wird ein Halbleiterbauelement mit einer Funktion zur Überstrom-Detektion offenbart. Gemäß einem Beispiel der Erfindung weist das Bauelement auf: Einen Halbleiterchip umfassend einen Laststrompfad, der einen Laststrom als Reaktion auf ein den Laststromfluss aktivierendes Eingangssignal führt. Eine Stromsensoranordnung stellt ein Messsignal bereit, welches den Laststrom repräsentiert. Eine Auswerteschaltung ist dazu ausgebildet, das Messsignal mit einem ersten Schwellwert zu vergleichen und einen Überstrom zu signalisieren wenn das Messsignal den ersten Schwellwert überschreitet nachdem eine Verzögerungszeitspanne beginnend mit der Aktivierung des Laststromflusses abgelaufen ist.
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申请公布号 |
DE102010064258(A1) |
申请公布日期 |
2011.07.07 |
申请号 |
DE201010064258 |
申请日期 |
2010.12.28 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ZANARDI, ALBERTO;SCHEIKL, ERICH;ILLING, ROBERT;HOPFGARTNER, HERBERT |
分类号 |
H01L23/62;H02H3/08 |
主分类号 |
H01L23/62 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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