发明名称 Verfahren zum Ätzen einer Schichtanordnung
摘要 Verfahren zum Ätzen einer Schichtanordnung, die eine Zwischenschicht (120) umfasst, die zwischen einer Ätzschicht (110) und einer Stoppschicht (130) angeordnet ist, wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst: Ätzen der Ätzschicht (110) unter Verwendung eines ersten Ätzmittels, wobei das erste Ätzmittel eine erste Ätzselektivität bezüglich der Ätzschicht (110) und der Zwischenschicht (120) umfasst; und Ätzen der Zwischenschicht (120) unter Verwendung eines zweiten Ätzmittels, wobei das zweite Ätzmittel eine zweite Ätzselektivität bezüglich der Zwischenschicht (120) und der Stoppschicht (130) aufweist, wobei sich das zweite Ätzmittel von dem ersten Ätzmittel unterscheidet, wobei die erste Ätzselektivität ein Verhältnis von zumindest 5:1 umfasst, und bei dem die zweite Ätzselektivität ein Verhältnis von zumindest 5:1 umfasst, wobei die Stoppschicht (130) eine Stoppschichtdicke umfasst und der Schritt des Ätzens der Zwischenschicht (120) durchgeführt wird, so dass die Stoppschicht (130) zu einer Tiefe geöffnet wird, wobei die Tiefe weniger als 50% der Stoppschichtdicke umfasst,...
申请公布号 DE102008056194(B4) 申请公布日期 2011.07.07
申请号 DE20081056194 申请日期 2008.11.06
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BRENCHER, LOTHAR;DICKENSCHEID, WOLFGANG;HARTENBERGER, MICHAEL;MEINHOLD, DIRK;SEIDEMANN, GEORG
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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