一种提高光刻工艺中焦深的方法

摘要

本发明提供一种提高光刻工艺中焦深的方法，首先对光刻胶进行曝光得到密集线条，然后利用特制掩膜图形进行第二次曝光，曝去其他不需要的线条，留下孤立线条，得到的孤立线条的焦深与密集线条一样大。使用这种方法可以提高线条的焦深，同时节省很多光学临近效应校正技术OPC的工作量。

主权项

一种提高光刻工艺中焦深的方法，包括如下步骤：1)设计两种掩膜图形，分别具有密集线条和孤立线条；2)涂底(HMDS)，增加硅片表面的疏水性，去除表面水分；3)涂光刻胶，得到所需膜厚和均匀性的光刻胶层；4)软烘，去除光刻胶中的溶剂，并释放光刻胶中的应力，增加光刻胶的热稳定性；5)用密集线条的掩膜图形在光刻胶上进行第一次曝光，曝出密集线条；6)用孤立线条的掩膜图形进行第二次曝光，除去设计所不需要的其它密集线条，只留下设计所要求的孤立线条；7)曝光后烘烤(PEB)，加速光酸催化作用，减小驻波效应；8)显影，使得曝光、PEB得到的光酸与显影液反应，得到所需要的孤立线图形；9)后烘，增加光刻胶的热稳定性，增加光刻胶抵抗蚀刻的能力。