| 发明名称 | 不需要专用选择器晶体管的自选择相变存储器设备 | ||
| 摘要 | 使用原子层沉积(ALD)而沉积在相变材料上的氧化锌(ZnO)层形成了自选择存储设备。形成在ZnO/GST接口处的二极管显示了在PCM结构内的整流和存储性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102117884A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010548105.2 | 申请日期 | 2010.11.16 |
| 申请人 | 恒忆公司 | 发明人 | A·里德艾里;A·皮罗瓦诺 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 段秋萍;南毅宁 |
| 主权项 | 一种相变存储器存储元件，该相变存储器存储元件包含：n型半导体层，该n型半导体层与p型硫族化合物材料直接接触来形成嵌入所述相变存储器存储元件的二极管，其中所述二极管被用来选择所述相变存储器存储元件。 | ||
| 地址 | 瑞士罗尔 | ||