| 发明名称 | 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，该方法是首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封SiO2膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。本发明的优点是：由于蓝膜边缘粘附于吸盘的表面，将硅片的背面与HF蒸汽源完全隔绝，可以精确控制HF酸蒸汽的去除时间，以完全去除正面的SiO2膜，而不至于影响到背面的SiO2膜；放弃使用蜡液，从而避免蜡蒸汽对环境的影响；易于操作，将大大提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101752243B | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200810239404.0 | 申请日期 | 2008.12.08 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 | 发明人 | 刘佐星;孙洪波 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 郭佩兰 |
| 主权项 | 一种去除正面化学气相沉积层二氧化硅膜的方法，其特征在于：首先将硅片用真空吸盘固定好，采用人工贴附的方法将环形塑料蓝膜粘附到硅片和吸盘表面，将硅片不需要去除背封二氧化硅膜的部分保护起来，然后将其置于HF酸蒸汽中，去除正面背封二氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 100088 北京市新街口外大街2号 | ||