| 发明名称 | 一种半导体功率器件封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体功率器件封装结构，所述封装结构包括散热片、引线脚、芯片、装片胶、金属焊线和塑封料，所述散热片上设有芯片承载区，所述散热片为阶梯结构。与现有技术相比，本发明请求保护的一种半导体功率器件封装结构，在保证功率及散热效果的同时，进一步降低了材料成本又提高了产品的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102117785A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201110021355.5 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 赵亚俊;尹华 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人 | 雷志刚;潘士霖 |
| 主权项 | 一种半导体功率器件封装结构，所述封装结构包括散热片、引线脚、芯片、装片胶、金属焊线和塑封料，所述散热片上设有芯片承载区，其特征在于：所述散热片为阶梯结构。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||