一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种集成齐纳管和整流管的双二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在N+型半导体重掺杂硅单晶抛光衬底片上生长N-型硅外延层；2）用电子化学清洗1#液清洗N+N-硅外延片，经过纯水冲洗；再用电子化学清洗2#液清洗硅片，将硅片甩干；3）在清洗后的N+N-硅外延片上进行P+型半导体杂质硼的预扩散；4）P+N+N-P+双二极管预扩散片进行P+杂质推结扩散；5）P+N+N-P+双二极管扩散片双表面喷砂打毛，双表面镀上镍层，锯切成双二极管芯片；6）通过隧道炉将双二极管芯片与封装底座焊接；7）用混合酸液对双二极管毛坯上的芯片外露部分进行化学腐蚀清洗、上保护胶、压模成型封装。本发明简化硅二极管的制造工艺流程，降低成本，提高产品性价比。

主权项

一种集成齐纳管和整流管的双二极管，其特征在于在单芯片上集成齐纳二极管和整流二极管的硅双二极管，它的器件纵向结构为P+N+N‑P+，其中，P+N+为齐纳二极管， P+N‑为整流二极管。