发明名称 基板处理装置及其清洁方法
摘要 提供一种基板处理装置及其清洁方法,不使下部电极的自偏压升高就能够提高基板载置台的附着物的去除率。在规定处理条件下清洁处理室(102)内时,按照根据下部电极(111)的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给处理室内,对下部电极(111)与上部电极(120)的电极之间施加高频电力来产生等离子体,该方式为:上述下部电极的自偏压的绝对值越小,上述O2气体的流量比越小,而惰性气体的流量比越大。
申请公布号 CN102117733A 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN201010561532.4 申请日期 2010.11.18
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 本田昌伸;村上贵宏;三村高范;花冈秀敏
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I;H01J37/36(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种基板处理装置的清洁方法,对基板处理装置的处理室内进行清洁,该处理室构成为能够减压,在该处理室内相对置地配置有上部电极和下部电极并且具备设置有上述下部电极的基板载置台,该基板处理装置的清洁方法的特征在于,在规定处理条件下清洁上述处理室内时,按照根据上述下部电极的自偏压以如下方式设定的流量比将含有O2气体和惰性气体的处理气体提供给上述处理室内,对上述上部电极和上述下部电极之间施加高频电力来产生等离子体,该方式为:上述下部电极的自偏压的绝对值越小,上述O2气体的流量比越小,而惰性气体的流量比越大。
地址 日本东京都