发明名称 检测方法和制造半导体器件的方法
摘要 本发明提供一种可以无接触地供应信号或电源电压至ID芯片并可提高检测程序的处理量的ID芯片的检测系统,和使用该检测系统的检测方法。如本发明的检测系统包括多个检测电极、多个检测天线、位置控制单元、用于施加电压至各检测天线的单元、和测量检测电极的电位的单元。该检测系统的一个特征是多个ID芯片与多个检测电极以一定间距重叠,多个ID芯片与多个检测天线以一定间距重叠,和多个ID芯片通过位置控制单元被插入多个检测电极与多个检测天线之间。
申请公布号 CN1661387B 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200510006810.9 申请日期 2005.01.28
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 荒井康行;馆村祐子;秋叶麻衣
分类号 G01R31/28(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01R31/28(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王永刚
主权项 一种检测方法,该方法包括:使用多个芯片中的各个芯片各自的天线在无接触的情况下供给信号或电源电压至多个芯片中的各个芯片;移动检测电极,检测电极与多个芯片中的部分芯片或全体芯片重叠,同时保持检测电极与多个芯片之间的一定间距;和根据检测电极的电压和检测电极的位置获得多个芯片中的各个芯片的操作状态。
地址 日本神奈川