发明名称 交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法
摘要 本发明公开了一种采用交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法,步骤为:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜;(2)采用交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜,在乳酸与水的混合溶液中溶解CuSO4制备Cu2O电沉积液,TiO2/Ti为工作电极,石墨为对电极,在交流电压下沉积Cu2O,用去离子水冲洗Cu2O/TiO2纳米阵列薄膜电极表面,干燥后制得一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜。本发明的方法工艺简单、易于控制,不易破坏TiO2纳米管阵列结构,可望实现廉价大规模生产。
申请公布号 CN101717980B 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200910229191.8 申请日期 2009.12.15
申请人 天津大学 发明人 侯峰;阴育新
分类号 C25D9/04(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I 主分类号 C25D9/04(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 曹玉平
主权项 一种采用交流电沉积法制备氧化亚铜/二氧化钛核壳结构阵列薄膜的方法,具有如下步骤:(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜在搅拌条件下,先将NH4F溶解于水中,搅拌均匀后,再加入丙三醇与二甲基亚砜,然后将混合溶液搅拌1h,得到稳定的透明溶液,其中水、二甲基亚砜与丙三醇的体积比为1∶1∶8,NH4F加入量为水、二甲基亚砜与丙三醇重量的0.5%;以上述溶液为电解液,将经过清洗的Ti片做阳极,Pt片做阴极,室温下加直流电40V氧化2h后,将Ti片取出,用去离子水清洗后,获得无定形一维纳米TiO2纳米管阵列薄膜;然后在马弗炉中以2℃min‑1的速度升温至550℃,保温1h后,随炉冷却至室温,制得TiO2纳米管阵列薄膜;(2)采用交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜在15ml乳酸与50ml水的混合溶液中溶解5g CuSO4制备Cu2O电沉积液,加入NaOH调整pH=9‑11.5,TiO2/Ti为工作电极,石墨为对电极,在5‑20℃、1200‑1600mV,50Hz交流电压下沉积Cu2O,沉积时间介于5‑60min,电沉积结束后,用去离子水冲洗Cu2O/TiO2纳米阵列薄膜电极表面,然后在100℃干燥10min,制得一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜。
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