发明名称 |
降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件 |
摘要 |
一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件,包括:N型衬底,在N型衬底上设有埋氧,在埋氧上设有N型外延层,在N型外延层上设有P型阱和N阱区,在P型阱上设有P型缓冲阱,在P型缓冲阱上设有N型阳区,在N阱区上设有P型阴区和N型体接触区,而场氧化层,金属层,栅氧化层,多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面,其特征在于在N阱区的下部、埋氧之上设有N型埋层,且插入N型外延层一部分,与N阱区整体构成反向的“L”型N区,这种结构可以将器件的电子电流引向底部,降低了器件沟道区的离子产生率和纵向电场,同时降低了热电子的温度,从而有效抑制了器件的热载流子效应。 |
申请公布号 |
CN101819993B |
申请公布日期 |
2011.07.06 |
申请号 |
CN201010146507.X |
申请日期 |
2010.04.13 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
钱钦松;刘斯扬;孙伟锋;毛宁;陆生礼;时龙兴 |
分类号 |
H01L29/735(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/735(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
黄雪兰 |
主权项 |
一种降低热载流子效应的P型横向绝缘栅双极型器件,包括:N型衬底(1),在N型衬底(1)上设有埋氧(2),在埋氧(2)上设有N型外延层(3),N型外延层(3)左边设有P型阱(4),右边设有N阱区(13),P型阱(4)和N阱区(13)之间仍有N型外延层(3)隔离,在P型阱(4)上设有P型缓冲阱(5),在P型缓冲阱(5)上设有N型阳区(6),在N阱区(13)上设有P型阴区(12)和N型体接触区(11),在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(10)且栅氧化层(10)自P型阴区(12)开始延伸至P型阱(4),在N型阳区(6)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)和栅氧化层(10)以外的硅表面区域设有场氧化层(8),在栅氧化层(10)的上表面设有多晶硅栅(9)且多晶硅栅(9)延伸至其左边P型阱(4)上的场氧化层(8)的表面,在N型阳区(6)、场氧化层(8)、多晶硅栅(9)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)的表面设有氧化层(15),在N型阳区(6)、N型体接触区(11)、P型阴区(12)和多晶硅栅(9)上分别连接有金属层(7),其中N型体接触区(11)、P型阴区(12)上连接的为同一金属层(7),其特征在于在N阱区(13)的下部、埋氧(2)之上设有N型埋层(14),插入N型外延层(3)一部分,与N阱区(13)整体构成反向的“L”型N区,并且N型埋层(14)的浓度不小于N阱区(13)的浓度。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 |