半导体激光器及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体激光器及其制造方法。得到能够进行10Gbps以上的高速调制的半导体激光器。形成层叠了p型InP覆盖层(12)(p型覆盖层)、AlGaInAs应变量子阱活性层(14)(活性层)以及n型InP覆盖层(16)(n型覆盖层)的脊结构(18)。用埋入层(20)对脊结构(18)的两侧进行埋入。埋入层(20)具有构成pn结(30)的低载流子浓度p型InP层(26)(p型半导体层)和n型InP层(24)(n型半导体层)。低载流子浓度p型InP层(26)的pn结附近的载流子浓度为5×1017cm-3以下。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，具备：依次层叠有p型覆盖层、活性层以及n型覆盖层的脊结构；依次层叠有p型InP层、n型InP层、半绝缘性掺杂Fe的AlGaInAs层、半绝缘性掺杂Fe的InP层、并且对所述脊结构的两侧进行埋入的埋入层；在所述脊结构以及所述埋入层上形成的第二n型InP层，所述半绝缘性掺杂Fe的AlGaInAs层完全被半绝缘性掺杂Fe的InP层覆盖。