发明名称 用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈
摘要 本发明提供一种用于电感耦合高密度等离子体处理室的内部平衡线圈。线圈包括第一线圈部分,第二线圈部分和内部平衡电容。第一线圈部分具有第一端和第二端。线圈部分的第一端连接至电源。第二线圈部分具有第一端和第二端。第一线圈部分的第二端连接至外部平衡电容。内部平衡电容串联连接在第一线圈部分的第二端和第二线圈部分的第一端之间。应用内部平衡电容和线圈部分以提供沿着第一线圈部分的电压峰,其与沿着第二线圈部分的虚地实质上对准。
申请公布号 CN101304630B 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200810085676.X 申请日期 2008.02.02
申请人 应用材料公司 发明人 罗伯特·陈;赖灿风;兴隆·陈;伟意·罗;华仲强;陆思青;穆罕默德·拉希德;梁起威;德米特里·鲁博弥尔斯克;埃利·Y·易
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 赵飞
主权项 一种用于半导体处理系统中通过室中的磁场产生等离子体的线圈,该线圈包括:具有第一端部和第二端部的第一线圈部分,所述第一线圈部分的所述第一端部连接至电源;具有第一端部和第二端部的第二线圈部分;具有第一端部和第二端部的第三线圈部分,所述第三线圈部分的所述第二端部连接至外部平衡电容;串联连接在所述第一线圈部分的所述第二端部和所述第二线圈部分的所述第一端部之间的第一内部平衡电容;串联连接在所述第二线圈部分的所述第二端部和所述第三线圈部分的所述第一端部之间的第二内部平衡电容;其中所述第一内部平衡电容提供与沿着所述第三线圈部分的第一虚地基本对准的第一电压峰,所述第二内部平衡电容提供与沿着所述第一线圈部分的第二虚地基本对准的第二电压峰,并且所述外部平衡电容提供与沿着所述第二线圈部分的第三虚地基本对准的第三电压峰。
地址 美国加利福尼亚州