晶体管及其方法

摘要

本发明涉及一种晶体管及其方法。电子器件可包括具有第一导电类型的第一阱区和具有第二导电类型并与第一阱区相邻接的第二阱区。第一导电类型和第二导电类型可以是相反的导电类型。在一个实施方式中，绝缘体区域延伸到第一阱区内，其中绝缘体区域和第一阱区相邻接并限定界面，以及从顶视图看绝缘体区域包括向第一界面延伸的第一特征，且绝缘体区域限定由第一特征定界的第一空间，其中离最接近于第一界面的第一特征的一部分的尺寸至少为零。栅极结构可覆盖在第一阱区和第二阱区之间的界面上。

主权项

一种电子器件，包括：具有第一导电类型的第一阱区；具有第二导电类型的第二阱区，其在第一界面处与所述第一阱区相邻接，从顶视图看所述第一界面总体在第一方向上延伸，所述第一导电类型和所述第二导电类型是相反的导电类型；绝缘体区域，其延伸到所述第一阱区内，其中所述绝缘体区域和所述第一阱区相邻接并限定第二界面，以及从顶视图看所述绝缘体区域包括向所述第一界面延伸的第一特征，且所述绝缘体区域限定由所述第一特征定界的第一空间，其中离最接近于所述第一界面的所述第一特征的一部分的尺寸至少为零；以及晶体管栅极结构，其覆盖在所述第一界面上。