具有嵌入式浮动栅极的快闪存储器

摘要

本发明提供一种快闪存储器装置，其中所述快闪存储器的浮动栅极由嵌入式存取装置所界定。嵌入式存取装置的使用使得在装置密度损失较小的情况下获得较长的沟道长度。所述浮动栅极还可在衬底上方升高选定量以获得所述衬底、所述浮动栅极和包括快闪单元的控制栅极之间所需的耦合。

主权项

一种存储器装置，其包括：衬底；两个源极/漏极区域，其耦合到所述衬底且邻近所述衬底的表面；至少一个嵌入式存取栅极具有一宽度，且所述嵌入式存取栅极经形成具有在所述衬底表面下方延伸到所述衬底中的第一部分和在所述衬底表面上方延伸一经选择的距离且均匀地跨过所述至少一个嵌入式存取栅极的所述宽度的第二部分，以插入所述两个源极/漏极区域之间，其中所述至少一个嵌入式存取栅极界定所述两个源极/漏极区域之间的导电沟道，所述导电沟道从所述衬底中的所述表面嵌入，且其中所述至少一个嵌入式存取栅极具有紧接所述衬底的所述表面的上表面，其中所述至少一个嵌入式存取栅极界定至少一个具有上表面的浮动栅极结构；至少一个控制栅极结构，其形成于所述至少一个浮动栅极结构的所述上表面上，其中形成所述至少一个控制栅极结构和所述至少一个浮动栅极结构，以便允许电荷选择性地存储在所述至少一个浮动栅极结构中或从所述至少一个浮动栅极结构移除，以选择性地改变所述导电沟道的状态，从而提供所述存储器装置的存储器状态的指示；且其中在所述衬底上方的所述嵌入式存取栅极的所述第二部分的所述经选择距离的变化改变所述嵌入式存取栅极、所述衬底和所述控制栅极结构之间的电容耦合，以借此影响将要存储到所述浮动栅极结构或从所述浮动栅极结构移除的电荷的能力。