| 发明名称 | 发光器件和发光器件封装 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光器件和发光器件封装。该发光器件，包括：第二导电类型半导体层；有源层；第一导电类型半导体层；以及中间折射层。有源层被设置在第二导电类型半导体层上。第一导电类型半导体层被设置在有源层上。中间折射层被设置在第一导电类型半导体层上。中间折射层具有的折射率小于第一导电类型半导体层的折射率并且大于空气的折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN102117875A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010572450.X | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 孙孝根 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：第二导电类型半导体层；有源层，所述有源层在所述第二导电类型半导体层上；第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层在所述有源层上；以及中间折射层，所述中间折射层在所述第一导电类型半导体层上，其中，所述中间折射层具有的折射率小于所述第一导电类型半导体层的折射率并且大于空气的折射率。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||