基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法

摘要

本发明涉及基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，属于存储器技术领域。所述存储方法采用热电子注入为编程方式，以FN隧穿为擦除方式，以读电流大小来区分00、01、10、11四种存储状态，从而可以在同样的面积下实现多值存储，使存储量增大两倍。本发明采用新的编程方式，在源漏两端同时编程操作，并形成多值存储，这大大地提高了编程效率，同时增大了存储窗口，实现更多点子的存储，并在同样大小的存储单元上实现了两倍于之前的存储量；另外，在实现此优点的同时并未改变制造工艺，大大降低了成本。

主权项

一种基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的存储方法，其特征在于，所述方法包括：在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别施加第四电压、第三电压和第一电压，以在选中的存储器中存储二进制数据10；在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在选中的存储器中存储二进制数据01；先在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第四电压、第三电压和第一电压；然后在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第四电压、第一电压和第三电压，以在选中的存储器中存储二进制数据00；或在基于纳米晶浮栅结构的多值非挥发性存储器的字线、位线和源端线分别分别施加第五电压、第一电压和第一电压，以在选中的存储器中存储二进制数据11。