| 发明名称 | 电阻体材料、电阻薄膜形成用溅射靶、电阻薄膜、薄膜电阻器以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种即使经过相对低温的热处理也电阻率、电阻温度特性、高温稳定性、耐盐水性均优良的薄膜电阻器和用于制造所述薄膜电阻器的电阻体材料以及制造方法。本发明提供了一种电阻体材料，该电阻体材料是在Ni合金中添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，其中，该Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质，该硅酸盐系玻璃以SiO2为主要成分，并且含有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102117670A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010529259.7 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 横林贞之;杉原雅博 |
| 分类号 | H01B1/16(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I;H01C17/12(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 菅兴成;吴小瑛 |
| 主权项 | 一种电阻体材料，其特征在于，在Ni合金中，添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，该Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质，该硅酸盐系玻璃以SiO2为主要成分并且含有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||