半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明形成具有取向性良好的铁电膜的铁电电容器。在使规定的结晶面优先取向的第一金属膜上形成非结晶或微结晶的金属氧化膜(步骤S1、S2)，然后，使用MOCVD法形成铁电膜(步骤S3)。在形成该铁电膜时，使第一金属膜上的金属氧化膜还原以作为第二金属膜，在该第二金属膜上形成铁电膜。非结晶或微结晶的金属氧化膜在形成铁电膜时容易被均匀地还原，通过该还原可获得取向性良好的第二金属膜，能够在第二金属膜上形成取向性良好的铁电膜。在形成铁电膜后，在其上形成上部电极(步骤S4)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其是具有铁电电容器的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成铁电膜的工序；以及在所述铁电膜上形成上部电极的工序，其中，所述形成下部电极的工序具有：形成第一金属膜的工序；以及在所述第一金属膜上以10～100℃的温度形成金属氧化膜的工序，所述形成铁电膜的工序具有还原所述金属氧化膜以作为第二金属膜且在所述第二金属膜上形成所述铁电膜的工序。