| 发明名称 | 半绝缘柱超结MOSFET结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半绝缘柱超结MOSFET结构，该结构包括：衬底重掺杂区(8)；位于衬底重掺杂区(8)之上的外延漂移区(9)；位于衬底重掺杂区(8)之上且分别位于外延漂移区(9)两侧的半绝缘柱区(7)；在外延漂移区(9)上部两侧分别形成的阱区(6)；在阱区(6)上部形成的源区(4)和阱接触浓注入区(5)；在外延漂移区(9)之上且位于两个源区(4)之间的栅极(1)；覆盖于栅极(1)及源区(4)、阱接触浓注入区(5)和半绝缘柱区(7)之上的绝缘层(2)；以及位于栅极(1)两侧可以向源区(4)和阱接触重注入区(5)施加电位的接触孔(3)。利用本发明，解决了传统纵向超结MOSFET结构工艺实现难度大、成本高、反向恢复特性不好的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102117830A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200910244530.X | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李俊峰;钟汇才;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种半绝缘柱超结MOSFET结构，其特征在于，该结构包括：衬底重掺杂区(8)；位于衬底重掺杂区(8)之上的外延漂移区(9)；位于衬底重掺杂区(8)之上且分别位于外延漂移区(9)两侧的半绝缘柱区(7)；在外延漂移区(9)上部两侧分别形成的阱区(6)；在阱区(6)上部形成的源区(4)和阱接触浓注入区(5)；在外延漂移区(9)之上且位于两个源区(4)之间的栅极(1)；覆盖于栅极(1)及源区(4)、阱接触浓注入区(5)和半绝缘柱区(7)之上的绝缘层(2)；以及位于栅极(1)两侧可以向源区(4)和阱接触重注入区(5)施加电位的接触孔(3)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||