发明名称 |
用于抗蚀剂下层的包含芳香环的化合物,以及抗蚀剂下层组合物 |
摘要 |
本发明披露了由以下化学式1表示的含芳香环化合物和包含所述化合物的抗蚀剂的下层组合物。在化学式1中,每个取代基与具体实施方式中定义的相同。所述含芳香环化合物可以具有优异的光学性能、机械特性和蚀刻选择性特性,并且可以利用旋涂涂覆方法应用。它对于利用短波长的光刻过程也是有用的,并显示出最小的残留酸含量。本发明还提供了利用抗蚀剂的下层组合物图案化器件的方法。[化学式1]<img file="dda0000041566670000011.GIF" wi="633" he="621" /> |
申请公布号 |
CN102115426A |
申请公布日期 |
2011.07.06 |
申请号 |
CN201010613154.X |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
第一毛织株式会社 |
发明人 |
赵诚昱;田桓承;金旼秀;吴丞培;宋知胤 |
分类号 |
C07C33/26(2006.01)I;C07C33/36(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I |
主分类号 |
C07C33/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
李丙林;张英 |
主权项 |
1.一种用于抗蚀剂的下层的由以下化学式1表示的含芳香环化合物:[化学式1]<img file="FDA0000041566650000011.GIF" wi="617" he="603" />其中,在化学式1中,R<sub>1</sub>到R<sub>6</sub>每一个独立地为取代的或未取代的C1到C10烷基基团、取代的或未取代的C5到C20芳香环基团、取代的或未取代的C3到C20环烷基基团、取代的或未取代的C3到C20环烯基基团、取代的或未取代的C2到C20杂芳基基团、或取代的或未取代的C2到C20杂环烷基基团,X<sub>1</sub>到X<sub>6</sub>每一个独立地为氢、羟基基团(-OH)、取代或未取代的烷基胺基团、取代或未取代的烷氧基基团、或氨基基团(-NH<sub>2</sub>),n1到n6每一个独立地为0或1,以及1≤n1+n2+n3+n4+n5+n6≤6。 |
地址 |
韩国庆尚北道 |