| 发明名称 | 半导体芯片堆迭及其制作方法 | ||
| 摘要 | 半导体芯片堆迭及其制作方法。该半导体芯片堆迭，包含有一第一芯片与一第二芯片。该第一芯片具有一第一电路，以一第一积集密度设置于该第一芯片内；而该第二芯片则具有一第二电路，以一第二积集密度设置于该第二芯片内，且该第二积集密度小于该第一积集密度。该第一芯片还包含至少一第一直通硅穿孔结构，电性连接该第一芯片与该第二芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN102117800A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010002112.2 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 宣明智;冯台生 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 史新宏 |
| 主权项 | 一种半导体芯片堆迭，包含有：一第一芯片，具有一第一电路，以一第一积集密度设置于该第一芯片内；以及一第二芯片，具有一第二电路，以一第二积集密度设置于该第二芯片内，且该第二积集密度小于该第一积集密度；其中该第一芯片还包含至少一第一直通硅穿孔结构，连接该第一芯片与该第二芯片。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||