| 发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：主体；绝缘层，该绝缘层位于所述主体的表面上；至少一个电极，该至少一个电极位于所述绝缘层上；发光二极管，该发光二极管连接到所述电极；以及反射层，该反射层位于所述绝缘层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN102117878A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010592971.1 | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 元晶敏 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陆弋;王伟 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：主体；绝缘层，所述绝缘层位于所述主体的表面上；至少一个电极，所述至少一个电极位于所述绝缘层上；发光二极管，所述发光二极管连接到所述电极；以及反射层，所述反射层位于所述绝缘层上方，其中，所述反射层包括位于所述电极上方的第一区域和位于所述绝缘层上方的第二区域。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||