| 发明名称 | 具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板及其制作方法。该硅基光学基板由制作于单晶硅片上的具有不同宽度和深度的V型槽级连在一起构成的，该些V型槽通过一次各向异性湿法腐蚀完成，在光轴方向上严格准直并在对接处形成台阶结构。本发明的优点是便于实现在具有不同轴向尺寸的光学元件之间形成精密的对准定位和可靠的固定安装，且其制作方法简便，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN102116901A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200910244524.4 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨成樾;申华军;周静涛;张慧慧 |
| 分类号 | G02B6/24(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种具有阶梯状V型槽结构的硅基光学基板，其特征在于，该硅基光学基板由制作于单晶硅片上的具有不同宽度和深度的V型槽级连在一起构成的，该些V型槽通过一次各向异性湿法腐蚀完成，在光轴方向上严格准直并在对接处形成台阶结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||