| 发明名称 | 一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路、以及三个关断控制电路。本发明只包含NMOS管,PMOS管和电阻，没有三极管，电路结构和制备工艺都相对简单；第一基准产生电路和第二基准产生电路输出的基准用于分别保护芯片比较器关于过充电，过放电，过电流的保护基准，其温度系数低、功耗低；适用于CMOS工艺实现。 | ||
| 申请公布号 | CN102117088A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201110026784.1 | 申请日期 | 2011.01.25 |
| 申请人 | 成都瑞芯电子有限公司 | 发明人 | 杨跃;林秀龙;宋勇 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 梁田 |
| 主权项 | 一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源，其特征在于：包括依次连接在VDD电源和VSS接地之间的启动电路（1）、PTAT产生电路（2）、CTAT产生电路（3）、第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5），所述的PTAT产生电路（2）还分别与第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5）连接，所述的CTAT产生电路（3）还与第二基准产生电路（5）连接，还包括分别与启动电路（1）、PTAT产生电路（2）连接的第一关断控制电路（7），分别与CTAT产生电路（3）、第一基准产生电路（4）、第二基准产生电路（5）连接的第二关断控制电路（8），在所述第二基准产生电路（5）上连接有第三关断控制电路（6）。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市成都高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层 | ||