电阻存储器、含有电阻存储器的集成电路的制作方法

摘要

一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和外围电路区域的层间介质层；在层间介质层内分别形成第一互连结构和第二互连结构；在第一互连结构和第二互连结构表面上形成第一介质层和第二介质层；形成覆盖层间介质层以及第一介质层和第二介质层的第一导电层；去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，只保留第一介质层上的第一导电层；在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电层；分别在第一导电层以及第二互连结构上形成第二导电层和第三导电层。所述方法，在形成电阻存储器的同时，可以实现核心器件区域和外围电路区域的层间互连结构。

主权项

一种含有电阻存储器的集成电路的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底以及位于半导体衬底上的层间介质层，所述半导体衬底和层间介质层包括核心器件区域和外围电路区域；在核心器件区域的层间介质层内形成第一互连结构，在外围电路区域的层间介质层内形成第二互连结构，第一互连结构用于电连接核心器件区域的半导体器件，第二互连结构用于电连接外围电路区域的半导体器件；在第一互连结构上形成第一介质层，在第二互连结构上形成第二介质层；形成覆盖层间介质层以及第一介质层和第二介质层的第一导电层；去除外围电路区域的第一导电层以及第二介质层，暴露出第二互连结构，在核心器件区域，去除层间介质层上的第一导电层，保留第一介质层上的第一导电层；在第一导电层以及第二互连结构上分别形成第二导电层和第三导电层。