一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法

摘要

本发明设计的一种制备Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜的方法，其特征在于：该Fe-Mn-Si磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得；其具体方法是：选择合金成分为Fe50Mn50～Fe70Mn30的合金制得直径为50-60mm、厚度1-5mm的FeMn合金靶，选择直径为50-60mm、厚度1mm单晶硅为单晶硅靶；采用纯铜片或玻璃作为基片，将Fe-Mn合金靶和单晶硅靶置于距基50cm、且与基片取向为60度位置，在溅射背底真空度＜10-5Pa条件下，溅射过程中保持Ar气压为0.1-1.0Pa，采用两靶共溅的方式在基片上沉积制得适用的Fe-Mn-Si薄膜；溅射时FeMn合金靶功率50-150W，单晶Si靶功率为20-80W。

主权项

一种制备Fe‑Mn‑Si磁性形状记忆合金薄膜的方法，其特征在于：该Fe‑Mn‑Si磁性形状记忆合金薄膜采用磁控溅射法中的两靶共溅法制得，其具体方法是：选择合金成分为Fe50Mn50‑Fe70Mn30的合金制得直径为50‑60mm、厚度1‑5mm的合金靶、选择直径为50‑60mm，厚度1mm的单晶硅为单晶硅靶；采用纯铜片或玻璃作为基片，将Fe‑Mn合金靶和单晶硅靶置于距基片50cm、且与基片取向为60度位置，在溅射背底真空度＜10‑5Pa条件下，采用两靶共溅的方式在基片上沉积制得适用的Fe‑Mn‑Si薄膜；溅射过程中保持Ar气压为0.1‑1.0Pa，溅射时FeMn合金靶功率为50‑150W，单晶Si靶为20‑80W。