半导体器件、p型MOS晶体管及其制作方法

摘要

一种半导体器件、p型MOS晶体管及其制作方法，其中半导体器件制作方法包括：提供半导体衬底；以栅介质层和栅极为掩膜，在高压器件区域的半导体衬底内进行氟离子注入；以栅介质层和栅极为掩膜，在高压器件区域的p型MOS晶体管区域的半导体衬底内进行低掺杂离子注入；进行快速热退火；在高压器件区域的栅介质层和栅极的两侧形成侧墙；在高压器件区域的半导体衬底内形成重掺杂源/漏区。本发明还提供一种半导体器件、一种p型MOS晶体管及其制作方法。本发明通过在高压器件区域的p型MOS晶体管区域的低掺杂源/漏区上形成氟离子注入区，有利于限制NBTI效应对MOS晶体管的影响，同时还可以降低热载流子注入效应。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包括高压器件区域，高压器件区域的半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅极；以栅介质层和栅极为掩膜，在高压器件区域的p型MOS晶体管区域的半导体衬底内进行氟离子注入；以栅介质层和栅极为掩膜，在高压器件区域的p型MOS晶体管区域的半导体衬底内进行低掺杂离子注入；进行快速热退火，在高压器件区域的p型MOS晶体管区域的半导体衬底内形成氟离子注入区和低掺杂源/漏区，所述氟离子注入区位于低掺杂源/漏区上方且被其包围，以抑制负温度偏压不稳定性效应；在高压器件区域的栅介质层和栅极两侧形成侧墙；在高压器件区域的半导体衬底内形成重掺杂源/漏区。