| 发明名称 | 辐射源、光刻设备以及器件制造方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻设备，包括：源，配置成使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束；照射系统，配置成在光刻设备操作期间调节辐射束并且接收氢气；和支撑结构，构造成保持图案形成装置。所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。衬底台构造成保持衬底，以及投影系统配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。光刻设备配置成使得进入照射系统的辐射束包括由等离子体生成的至少50％的不想要的辐射，并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。 | ||
| 申请公布号 | CN102119366A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200980131416.4 | 申请日期 | 2009.07.13 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | A·凯姆鹏;V·班尼恩;V·伊万诺夫;E·鲁普斯卓 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G21K1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种光刻设备，包括：源，配置成使用等离子体生成包括想要的辐射和不想要的辐射的辐射束；照射系统，配置成在光刻设备操作期间调节辐射束并且接收氢气；支撑结构，构造成保持图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，构造成保持衬底；和投影系统，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中所述光刻设备配置成使得进入照射系统的辐射束包括由等离子体生成的至少50％的不想要的辐射，并且包括与氢气反应以生成氢自由基的辐射的波长。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||