一种剥离发光二极管衬底的方法

摘要

本发明公开了一种剥离发光二极管衬底的方法，通过对GaN外延层侧面进行腐蚀，形成孔洞型结构，配合外延生长的非填满型图形化蓝宝石衬底，使GaN外延层与蓝宝石衬底分离。本发明可以有效地降低GaN基外延生长中的位错密度，提高晶格质量，且能快速剥离蓝宝石衬底，具有成本低、不会造成GaN薄膜内伤、改善光电器件的性能、提高发光效率的优点。

主权项

一种剥离发光二极管衬底的方法，包含下列步骤：提供一蓝宝石衬底；在衬底表面上形成呈周期性分布的图形化结构；在图形化蓝宝石衬底上镀一阻挡层，采用研磨工艺使第一阻挡层表面与图形化蓝宝石衬底凸起表面齐平；在图形化蓝宝石衬底上生长GaN外延层，GaN外延层与图形化蓝宝石衬底间存有孔洞结构，其中GaN外延层由N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层组成；通过湿蚀刻，对GaN外延层侧面进行腐蚀，分离GaN外延层与蓝宝石衬底。