| 发明名称 | 反向极化的Ⅲ族氮化物发光器件 | ||
| 摘要 | 一种器件结构，包括设置在p型区(54、58)和n型区(56)之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区(53)。键合的界面(50)设置在两个表面之间，其中的一个表面是所说器件结构的表面。键合的界面便于在发光区中纤锌矿c轴的取向，该取向限制发光区中的载流子，有可能增加在高电流密度情况下的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101164209B | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200680008336.6 | 申请日期 | 2006.03.10 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 | 发明人 | J·J·小韦勒;M·G·克拉福特;J·埃普勒;M·R·卡拉梅斯 |
| 分类号 | H01S5/02(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01S5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 龚海军;谭祐祥 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：器件结构，所述器件结构包括p型区、n型区和设置在p型区和n型区之间的III族氮化物发光区，所述发光区包括纤锌矿晶体结构；和设置在两个表面之间的键合的界面，其中的一个表面是所述器件结构的表面；其中纤锌矿c轴穿过设置在发光区和p型区之间的界面指向所述发光区，所述纤锌矿c轴定义为从III族氮化物晶胞的氮面指向III族氮化物晶胞的镓面；其中所述III族氮化物晶胞的氮面是面对p型区的晶体表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||