发明名称 发光二极管
摘要 本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括一个反光杯,至少一个发光二极管芯片及多个电极,该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽,该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部,该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接。该发光二极管还包括一第一散射层、一第二散射层及一光转换层,该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片,该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧,该第二散射层设置在该光转换层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。所述第一散射层的折射率大于或等于光转换层的折射率,所述光转换层的折射率大于或等于第二散射层的折射率。
申请公布号 CN101459163B 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200710203009.2 申请日期 2007.12.12
申请人 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 发明人 张忠民;徐智鹏;王君伟
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极管,其包括一个反光杯,至少一个发光二极管芯片及多个电极,该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽,该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部,该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接,其特征在于:该发光二极管还包括一第一散射层、一第二散射层及一光转换层,该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片,该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧,该第二散射层设置在该光转换层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧,该第一散射层包括第一透明基材及分布在该第一透明基材中的散射粒子,该光转换层包括第二透明基材及分布在该第二透明基材中的荧光粉,该第二散射层包括第三透明基材及均匀分布在该第三透明基材中的散射粒子,该第二透明基材的折射率小于或等于该第一透明基材的折射率,该第三透明基材的折射率小于或等于该第二透明基材的折射率。
地址 201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号