埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法

摘要

本发明关于一种埋入型多芯片半导体封装结构及其制造方法，本发明的埋入型多芯片半导体封装结构包括：一第一芯片、至少一第二芯片、一第一线路层及一第二线路层。该第一芯片具有一第一表面、一第二表面及至少一凹槽，该至少一凹槽设置于该第二表面。至少一第二芯片具有一主动表面及数个第二电性连接垫，该至少一第二芯片设置于该至少一凹槽内。因本发明的该至少一第二芯片设置于该第一芯片的该至少一凹槽内，故不会增加本发明埋入型多芯片半导体封装结构的高度及面积，可有利于产品的微小化。

主权项

一种埋入型多芯片半导体封装结构，包括：一第一芯片，具有一第一表面、一第二表面、至少一凹槽及数个第一电性连接垫，该第二表面相对于该第一表面，该至少一凹槽设置于该第二表面，这些第一电性连接垫设置于该第一表面；至少一第二芯片，具有一主动表面及数个第二电性连接垫，这些第二电性连接垫设置于该主动表面，该至少一第二芯片设置于该至少一凹槽内，显露该主动表面及这些第二电性连接垫；一第一线路层，用以电性连接这些第一电性连接垫；及一第二线路层，用以电性连接这些第二电性连接垫。