发明名称 用于处理存储器位单元中负偏压温度不稳定性应力的系统及方法
摘要 一种通过以下操作来减小由NBTI效应引起的应力的系统及方法:确定是否已发生触发事件;以及如果已发生触发事件,那么在由所述所确定的触发事件界定的时间周期期间对到存储器的所有输入数据值及来自所述存储器的所有输出数据值进行反转。在一个实施例中,所述触发事件是交替的存储器上电。
申请公布号 CN102119421A 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200980131135.9 申请日期 2009.08.17
申请人 高通股份有限公司 发明人 陈南;钟成;里图·哈巴
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C7/20(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I;G11C11/417(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种用于减小存储器位单元中负偏压温度不稳定性(NBTI)应力的方法,所述方法包含:在所述存储器位单元处呈现数据输入值以供存储;在一时间周期内,在将所述数据输入值呈现给所述位单元以供存储之前,对所述数据输入值进行反转;以及在所述时间周期期间,对来自所述位单元的输出数据值进行反转。
地址 美国加利福尼亚州