| 发明名称 | 鳍式晶体管结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种鳍式晶体管结构及其制作方法。该鳍式晶体管结构包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。根据本发明的鳍式晶体管结构，既能保持低成本、高热传送率的优点，又能减小漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102117829A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN200910244515.5 | 申请日期 | 2009.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种鳍式晶体管结构，包括在半导体衬底上形成的鳍，其中，该鳍中用作所述晶体管结构的沟道区的部位通过绝缘体材料与衬底接触，而该鳍的其余部位通过体半导体材料与衬底接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||