发明名称 | 一种降低相变存储器单元操作功耗的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器单元操作功耗的方法,包括如下步骤:(1)在SiO2/Si基片上涂覆CeO2薄膜;(2)将步骤(1)中制备的涂覆有CeO2薄膜的SiO2/Si基片退火处理,制得具有缓冲层的SiO2/Si基片;(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO2/Si基片上,涂覆GST相变材料,并封装成相变存储器器件。本发明利用稀土金属氧化物CeO2薄膜材料作为缓冲层,能有效降低相变存储器单元操作电压,从而降低功耗。 | ||
申请公布号 | CN102117883A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
申请号 | CN201010022442.8 | 申请日期 | 2010.01.05 |
申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;尚飞 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
主权项 | 一种降低相变存储器单元操作功耗的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在SiO2/Si基片上涂覆CeO2薄膜;(2)将步骤(1)中制备的涂覆CeO2薄膜的SiO2/Si基片退火处理,制得具有缓冲层的SiO2/Si基片;(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO2/Si基片上,涂覆GST相变材料,并封装成相变存储器器件。 | ||
地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 |