| 发明名称 | 基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置在腔室的外部(大气中)和内部(真空环境)分别具备天线，并且腔室外部的天线配置在部，腔室内部的天线配置成靠近腔室的墙面侧。因此，能够整体上均匀地形成等离子体，同时能够提高等离子体的密度，具有提高基板处理效率的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102115879A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010612966.2 | 申请日期 | 2010.12.30 |
| 申请人 | 丽佳达普株式会社 | 发明人 | 孙亨圭 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，可执行基板表面处理；第一天线，在上述腔室的外部，隔着设置于上述腔室的窗口而设置；第二天线，在上述腔室的内部，设置在上述第一天线设置区域的周边位置。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||