| 发明名称 | 基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法，用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为PIP电容的下极板，用进行SiGeHBT工艺前为保护CMOS晶体管部分所淀积的介质层作为PIP电容的介质，用SiGe基极多晶硅层作为PIP电容的上极板；用SiGe基极多晶硅层作为另一PIP电容的下极板，用发射极-基极隔离介质层作为另一PIP电容的介质，利用发射极多晶硅层作为另一PIP电容的上极板；将前面所形成的两个PIP电容进行并联得到第三个PIP电容。本发明利用BiCMOS工艺中现有的多种多晶硅层和多种介质层，在不增加额外步骤和成本的基础上，提供多种PIP电容，供设计选择。 | ||
| 申请公布号 | CN102117780A | 申请公布日期 | 2011.07.06 |
| 申请号 | CN201010027231.3 | 申请日期 | 2010.01.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈帆;张海芳;徐炯 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法，其特征在于：用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为PIP电容的下极板，用进行SiGe异质结晶体管工艺前为保护CMOS晶体管部分所淀积的介质层作为PIP电容的介质，用SiGe基极多晶硅层作为PIP电容的上极板；用SiGe基极多晶硅层作为另一PIP电容的下极板，用发射极‑基极隔离介质层作为另一PIP电容的介质，利用发射极多晶硅层作为另一PIP电容的上极板；用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为第三个PIP电容的下极板，用SiGe基极多晶硅层作为电容的中间基板，利用发射极多晶硅层作为第三个PIP电容的上极板；即将前面所形成的两个PIP电容进行并联得到第三个PIP电容。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||