等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法

摘要

一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；打开所述等离子体装置激励源，激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。本发明还提供一种应力氮化硅膜的形成方法。该方法的紫外线处理能够与等离子处理工艺原位进行，使工艺简化。

主权项

一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中，并对所述等离子体处理腔室执行抽真空处理；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受所述等离子体激发，转变成非稳态，而后所述能够受激产生紫外线的气体在由非稳态转变为稳态的过程中会辐射产生紫外线，所述紫外线的波长为100nm至360nm；产生的紫外线辐射半导体基底表面。