| 发明名称 |
NITRIDE-BASED TRANSISTORS WITH A PROTECTIVE LAYER AND A LOW-DAMAGE RECESS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20110075053(A) |
申请公布日期 |
2011.07.05 |
| 申请号 |
KR20117014251 |
申请日期 |
2004.09.28 |
| 申请人 |
CREE INC. |
发明人 |
SHEPPARD SCOTT T.;SMITH RICHARD PETER;RING ZOLTAN |
| 分类号 |
H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
主分类号 |
H01L29/778 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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