发明名称 光信息介质测定方法、光信息介质、记录装置及再生装置
摘要 本发明所提供的光信息介质测定方法,用于测定具有多层信息层的多层结构的光信息介质的调制度,包括利用测定光学系统测定所述光信息介质的各层的调制度的第1步骤、求出所述光信息介质的各层间的厚度的第2步骤、求出所述光信息介质的各层的反射率的第3步骤,以及根据在所述第2步骤求出的各层间的厚度和在所述第3步骤求出的各层的反射率的值,将在所述第1步骤测定的各层的调制度换算成与所述测定光学系统不同的基准光学系统下的调制度的第4步骤。
申请公布号 CN102119418A 申请公布日期 2011.07.06
申请号 CN200980131343.9 申请日期 2009.09.14
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 佐野晃正;金马庆明;日野泰守
分类号 G11B7/26(2006.01)I;G11B7/005(2006.01)I;G11B7/24(2006.01)I 主分类号 G11B7/26(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种光信息介质测定方法,用于测定具有多层信息层的多层结构的光信息介质的调制度,其特征在于包括以下步骤:利用测定光学系统测定所述光信息介质的各层的调制度的第1步骤;求出所述光信息介质的各层间的厚度的第2步骤;求出所述光信息介质的各层的反射率的第3步骤;以及利用在所述第2步骤求出的各层间的厚度和在所述第3步骤求出的各层的反射率的值,将在所述第1步骤测定的各层的调制度换算成与所述测定光学系统不同的基准光学系统下的调制度的第4步骤。
地址 日本大阪府