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发明名称 PROCESS FOR MAKING AN EPITAXIAL LAYER OF GALLIUM NITRIDE
摘要
申请公布号 PT1338683(E) 申请公布日期 2011.07.04
申请号 PT20030005910T 申请日期 1998.10.15
申请人 SAINT-GOBAIN CRISTAUX & DETECTEURS 发明人 BERNARD GUILLAUME;SOUFIEN HAFFOUZ;PIERRE GIBART;GILLES NATAF;MICHEL VAILLE;BERNARD BEAUMONT
分类号 C30B25/02;C30B29/38;C30B29/40;H01L21/20;H01L33/00;H01S5/323 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
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