| 主权项 |
一种非挥发性记忆元件，包括：记忆胞元阵列，包括一个或多个区块，各区块具有复数个记忆胞元及至少一个参考胞元；X解码器及Y解码器，用以根据输入位址而选择记忆胞元来进行操作；至少一个页面缓冲器，用以程式化资料至该X解码器及该Y解码器所选择的记忆胞元、或是用以读取在由该X解码器及该Y解码器所选择的该记忆胞元内被程式化之资料；及一控制器，用以控制该记忆胞元阵列、该X解码器、该Y解码器及该页面缓冲器，该控制器系被配置以计算在该区块中该等记忆胞元的临界电压之改变、且启动用于该被改变的临界电压之补偿步骤，其中该临界电压之变化的计算系基于该参考胞元之临界电压的变化。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆元件，其中该控制器基于由该参考胞元的该临界电压之变化的计算所获得的资讯，而启动该区块中该等胞元的再程式化，以作为该补偿步骤。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆元件，其中该控制器基于由该参考胞元的该临界电压之变化的计算所获得的资讯，而调整该区块中该等胞元的读取电压准位，以作为该补偿步骤。一种非挥发性记忆元件，包括：记忆胞元阵列，包括一个或多个区块，各区块具有复数个记忆胞元；X解码器及Y解码器，被配置以根据输入位址而选择操作的记忆胞元；至少一个页面缓冲器，被配置以程式化资料至由该X解码器及该Y解码器所选择的记忆胞元、或是用来从该X解码器及该Y解码器所选择的记忆胞元中读取资料；及控制器，被配置以控制该记忆胞元阵列、该X解码器、该Y解码器及该页面缓冲器，该控制器系被配置以在该记忆胞元阵列之各区块中的一个或多个记忆胞元上执行周期性读取操作，并且用来在如果该周期性读取指出该区块中的该等记忆胞元具有高失效率时，在该区块中的该等记忆胞元上执行一补偿步骤。如申请专利范围第4项之非挥发性记忆元件，其中如果在该周期性读取期间失效的记忆胞元之数量等于或高于一参考值，则该区块被认为具有该高失效率。如申请专利范围第4项之非挥发性记忆元件，其中该控制器启动该区块中该等胞元的再程式化，以作为该补偿步骤。如申请专利范围第4项之非挥发性记忆元件，其中该控制器调整该区块中该等胞元的读取电压准位，以作为该补偿步骤。一种用以操作一非挥发性记忆元件的方法，该非挥发性记忆元件包括一记忆胞元阵列，该记忆胞元阵列具有至少一个区块，该区块具有复数个记忆胞元，该方法包括下列步骤：测量与该区块相关之一参考胞元的临界电压之变化；使用该测量步骤中所测量的该变化而计算该区块中被程式化之记忆胞元的临界电压之变化；及基于由该计算步骤所获得的资讯而在该区块的该等被程式化之记忆胞元上执行一补偿步骤。如申请专利范围第8项之方法，其中该区块中的该等被程式化之记忆胞元被再程式化以作为该补偿步骤之一部分。如申请专利范围第8项之方法，其中该区块中的该等被程式化之记忆胞元之读取电压准位被调整以作为该补偿步骤之一部分。如申请专利范围第8项之方法，其中该计算步骤将该参考胞元的该临界电压之变化与结合，以计算该区块的该等被程式化之记忆胞元之该临界电压之变化。如申请专利范围第8项之方法，其中比较该等被程式化之记忆胞元之所算出的该临界电压之变化与一参考值，以确定是否执行该补偿步骤。一种操作非挥发性记忆元件的方法，该非挥发性记忆元件包括记忆胞元阵列，该记忆胞元阵列具有至少一个区块，该区块具有复数个记忆胞元，该方法包括下列步骤：测量与该区块相关之一参考胞元的临界电压之变化；使用在该测量步骤中所测量的变化而计算该区块中之记忆胞元的临界电压之变化；基于由该计算步骤所获得的资讯来确定执行一补偿步骤；及基于由该确定步骤所获得的结果在该区块的该等记忆胞元上执行该补偿步骤。如申请专利范围第13项之方法，其中藉由将该参考胞元的该临界电压之变化与线性函数结合，以计算该区块中该等记忆胞元之该临界电压的变化。如申请专利范围第13项之方法，其中该确定步骤包括比较该被计算之量与一参考值，以确定是否需要该补偿步骤。如申请专利范围第13项之方法，其中执行该区块中的该等记忆胞元之再程式化作为该补偿步骤。一种操作非挥发性记忆元件的方法，该非挥发性记忆元件包括记忆胞元阵列，该记忆胞元阵列具有至少一个区块，该区块具有复数个记忆胞元，该方法包括：读取储存于该区块的该等记忆胞元中之资料；计算在该读取步骤期间失效的该等记忆胞元之数量；确定已发生失效的该等记忆胞元之数量是否高于临界值；及如果该等记忆胞元之数量等于或大于该临界值，根据在该区块中该等记忆胞元之程式化状态，使用设定的程式电压，再程式化该区块的该等记忆胞元。如申请专利范围第17项之方法，其中该非挥发性记忆元件为NAND快闪记忆元件。如申请专利范围第17项之方法，其中该非挥发性记忆元件为NOR快闪记忆元件。 |
