发明名称 反射率测定装置
摘要
申请公布号 TWI344542 申请公布日期 2011.07.01
申请号 TW094137491 申请日期 2005.10.26
申请人 牛尾电机股份有限公司 发明人 松本茂树;野泽繁典;小川义正
分类号 G01N21/01 主分类号 G01N21/01
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种反射率测定装置,系属于具备将特定波长且具有指向性之光线予以出射的光放出部与受光部,在微晶片的被测定部位上照射来自前记光放出部的光线,以前记受光部来接受来自前记被测定部位的反射光,以测定前记被测定部位的反射率之反射率测定装置,其特征为,前记微晶片系以透明构件覆盖前记被测定部位的构造,将前记光放出部配置在前记被测定部位的正上方,来自前记光放出部的照射区域是被收敛在前记被测定部位内;包含前记光放出部的发光中心点而垂直于前记微晶片的假想面上,令对于前记被测定部位的前记照射区域的端部上的法线与前记反射光所形成的角度为θ(°),令前记被测定部位正上方所配置之前记光放出部所放射出来的光线的扩张角为α(°),且令前记透明构件的折射率为n时,前记受光部系配置在满足(1/2)α≦θ≦sin-1(1/n)之关系的角度范围θ内。如申请专利范围第1项所记载之反射率测定装置,其中,对于具备复数被测定部位的微晶片,具备复数之光放出部与对该复数光放出部为共通的受光部,将前记各光放出部配置在前记各被测定部位的正上方,前记受光部系将来自各被测定部位的光加以接收。如申请专利范围第1项所记载之反射率测定装置,其中,对于具备复数被测定部位的微晶片,具备复数之光放出部与复数的受光部,将前记各光放出部配置在前记各被测定部位的正上方,在前记各受光部的前面配置聚光用透镜,各受光部系只会接受来自所对应之各被测定部位的光线。
地址 日本